Name: SCT025H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT025H120G3AGTR-ND
Price: 90.5322 RON
Availability: InStock

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

SCT025H120G3AG
Numărul produsului DigiKey	497-SCT025H120G3AGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-SCT025H120G3AGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-SCT025H120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	SCT025H120G3AG
Descriere	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 55A (Tc) 375W (Tc) Montare pe suprafață H2PAK-7
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	STMicroelectronics
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	55A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	37mOhm la 25A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	4,2V la 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	73 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+18V, -5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1990 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	375W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	H2PAK-7
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA

Preț unitar fără TVA:	74,82000 lei
Preț unitar cu TVA:	90,53220 lei

SCT025H120G3AG