Name: SCT025H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT025H120G3AGTR-ND
Price: 96.3039 RON
Availability: OutOfStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCT025H120G3AG
Numărul produsului DigiKey	497-SCT025H120G3AGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-SCT025H120G3AGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-SCT025H120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	SCT025H120G3AG
Descriere	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 55A (Tc) 375W (Tc) Montare pe suprafață H2PAK-7
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 73 nC @ 18 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (Max) +18V, -5V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1990 pF @ 800 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 375W (Tc)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200 V	Grad Automobile
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 55A (Tc)	Calificare AEC-Q101
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 18V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 37mOhm la 25A, 18V	Pachet dispozitiv furnizor H2PAK-7
Vgs(th) (Max) la Id 4,2V la 5mA	Pachet/cutie TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA