Name: SCT011HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT011HU75G3AGTR-ND
Price: 131.9384 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCT011HU75G3AG
Numărul produsului DigiKey	497-SCT011HU75G3AGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-SCT011HU75G3AGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-SCT011HU75G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	SCT011HU75G3AG
Descriere	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 750 V 110A (Tc) 652W (Tc) Montare pe suprafață HU3PAK
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	STMicroelectronics
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	750 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	110A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	15mOhm la 80A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	4,2V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	154 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+18V, -5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3860 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	652W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	HU3PAK
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Număr produs de bază	SCT011H