Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 110.3157 RON
Availability: OutOfStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCT019HU120G3AG
Numărul produsului DigiKey	497-SCT019HU120G3AG-ND
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	SCT019HU120G3AG
Descriere	SIC MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Montare pe suprafață HU3PAK
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 111.2 nC @ 18 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (Max) +22V, -10V
Serie ECOPACK®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2789 pF @ 800 V
Ambalaj Vrac	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 500W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 90A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 18V	Pachet dispozitiv furnizor HU3PAK
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 26mOhm la 40A, 18V	Pachet/cutie TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Vgs(th) (Max) la Id 4,2V la 10mA