Name: SCT040HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040HU65G3AGTR-ND
Price: 71.4989 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCT040HU65G3AG
Numărul produsului DigiKey	497-SCT040HU65G3AGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-SCT040HU65G3AGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-SCT040HU65G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	SCT040HU65G3AG
Descriere	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 30A (Tc) 221W (Tc) Montare pe suprafață HU3PAK
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) +22V, -10V
Prod. STMicroelectronics	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 920 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 221W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 30A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 18V	Pachet dispozitiv furnizor HU3PAK
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 55mOhm la 20A, 18V	Pachet/cutie TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Vgs(th) (Max) la Id 4,2V la 1mA	Număr produs de bază SCT040
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 39.5 nC @ 18 V