Name: FDB3632
Brand: onsemi
SKU: FDB3632TR-ND
Price: 23.1836 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FDB3632
Numărul produsului DigiKey	FDB3632TR-ND - Bandă și mosor (TR) FDB3632CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) FDB3632DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FDB3632
Descriere	MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	41 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FDB3632 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 110 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (Max) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 6000 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 310W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 12A (Ta), 80A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263 (D2PAK)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 9mOhm la 80A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază FDB363