Name: IPT020N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT020N10N5ATMA1TR-ND
Price: 24.321 RON
Availability: InStock

IPT020N10N5ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPT020N10N5ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPT020N10N5ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPT020N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPT020N10N5ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Termen de livrare standard al producătorului	31 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 31A (Ta), 260A (Tc) 273W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPT020N10N5ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	31A (Ta), 260A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2mOhm la 150A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,8V la 202µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	11000 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	273W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HSOF-8-1
Pachet/cutie	8-PowerSFN
Număr produs de bază	IPT020

Preț unitar fără TVA:	20,10000 lei
Preț unitar cu TVA:	24,32100 lei

IPT020N10N5ATMA1