Name: IPD95R750P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD95R750P7ATMA1TR-ND
Price: 13.1164 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD95R750P7ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPD95R750P7ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPD95R750P7ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPD95R750P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD95R750P7ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Termen de livrare standard al producătorului	48 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 950 V 9A (Tc) 73W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD95R750P7ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 23 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie CoolMOS™ P7	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 712 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 73W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 950 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 9A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO252-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 750mOhm la 4,5A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 220µA	Număr produs de bază IPD95R750