Name: IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR-ND
Price: 6.0379 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Descriere	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Termen de livrare standard al producătorului	27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 3,6A (Tc) 22W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-344
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ PFD7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	3,6A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,5Ohm la 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 40µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	4.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	169 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	22W (Tc)
Temperatură de funcționare	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO252-3-344
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	IPD60R