
IMW65R015M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 448-IMW65R015M2HXKSA1-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | IMW65R015M2HXKSA1 |
Descriere | SILICON CARBIDE MOSFET |
Termen de livrare standard al producătorului | 61 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 650 V 93A (Tc) 341W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-3-40 |
Fișă de date | Fișă de date |
Categorie | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 79 nC @ 18 V |
Prod. | Vgs (Max) +23V, -7V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2792 pF @ 400 V |
Ambalaj Tub | Caracteristică FET – |
Stare piesă Activ | Disipare putere (Max) 341W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Orificiu străpuns |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 20V | Pachet dispozitiv furnizor PG-TO247-3-40 |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 13,2mOhm la 64,2A, 20V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 5,6V la 13mA | Număr produs de bază |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 91,08000 lei | 91,08 lei |
| 30 | 56,36800 lei | 1.691,04 lei |
| 120 | 48,76625 lei | 5.851,95 lei |
| 510 | 43,20355 lei | 22.033,81 lei |
| 1.020 | 41,17608 lei | 41.999,60 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 91,08000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 110,20680 lei |



