
IMW65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | IMW65R020M2HXKSA1 |
Descriere | SILICON CARBIDE MOSFET |
Termen de livrare standard al producătorului | 61 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-3-40 |
Fișă de date | Fișă de date |
Categorie | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 57 nC @ 18 V |
Prod. | Vgs (Max) +23V, -7V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2038 pF @ 400 V |
Ambalaj Tub | Caracteristică FET – |
Stare piesă Activ | Disipare putere (Max) 273W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Orificiu străpuns |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 20V | Pachet dispozitiv furnizor PG-TO247-3-40 |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 18mOhm la 46,9A, 20V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 5,6V la 9,5mA | Număr produs de bază |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 76,86000 lei | 76,86 lei |
| 30 | 46,84533 lei | 1.405,36 lei |
| 120 | 40,27575 lei | 4.833,09 lei |
| 510 | 35,46600 lei | 18.087,66 lei |
| 1.020 | 33,71295 lei | 34.387,21 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 76,86000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 93,00060 lei |


