Setări
Livrare rapidă
Livrare gratuită
Incoterms
Tipuri de plată
Produs Marketplace
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | IMW65R007M2HXKSA1 |
Descriere | SILICON CARBIDE MOSFET |
Termen de livrare standard al producătorului | 61 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 650 V 171A (Tc) 625W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-3-U06 |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | IMW65R007M2HXKSA1 Modele |
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Categorie | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 179 nC @ 18 V |
Prod. | Vgs (Max) +23V, -7V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 6359 pF @ 400 V |
Ambalaj Tub | Caracteristică FET – |
Stare piesă Activ | Disipare putere (Max) 625W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Orificiu străpuns |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 20V | Pachet dispozitiv furnizor PG-TO247-3-U06 |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 6,1mOhm la 146,3A, 20V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 5,6V la 29,7mA |
Raportați o eroare legată de informațiile despre produs
Documente și media
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 158
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 132,69000 lei | 132,69 lei |
| 30 | 86,06433 lei | 2.581,93 lei |
| 120 | 77,14708 lei | 9.257,65 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 132,69000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 160,55490 lei |
V-ar mai putea interesa șiVizualizare toate
9 Articole
