IKW75N120CH7XKSA1
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMW65R007M2HXKSA1

Numărul produsului DigiKey
448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IMW65R007M2HXKSA1
Descriere
SILICON CARBIDE MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului
23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 171A (Tc) 625W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-3-U06
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IMW65R007M2HXKSA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V, 20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
6,1mOhm la 146,3A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id
5,6V la 29,7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
179 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
6359 pF @ 400 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
625W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-U06
Pachet/cutie
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 1.153
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
1121,16000 lei121,16 lei
3078,58333 lei2.357,50 lei
12077,72067 lei9.326,48 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:121,16000 lei
Preț unitar cu TVA:146,60360 lei