Name: IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND
Price: 66.9251 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IGT65R025D2ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IGT65R025D2ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IGT65R025D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IGT65R025D2ATMA1
Descriere	GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Termen de livrare standard al producătorului	27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 70A (Tc) 236W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IGT65R025D2ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 11 nC @ 3 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) -10V
Serie CoolGaN™ G5	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 780 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 236W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 70A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) –	Pachet dispozitiv furnizor PG-HSOF-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 30mOhm la 18A	Pachet/cutie 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) la Id 1,6V la 6,1mA