Name: IGT65R035D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND
Price: 52.756 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IGT65R035D2ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IGT65R035D2ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IGT65R035D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IGT65R035D2ATMA1
Descriere	HV GAN DISCRETES
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 49A (Tc) 167W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IGT65R035D2ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	49A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	–
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	–
Vgs(th) (Max) la Id	1,6V la 4,2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	7.7 nC @ 3 V
Vgs (Max)	-10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	540 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	167W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HSOF-8
Pachet/cutie	8-PowerSFN