Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 148.5638 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMBG65R007M2HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMBG65R007M2HXTMA1
Descriere	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-12
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMBG65R007M2HXTMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	238A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	8,5mOhm la 146,3A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5,6V la 2,97mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	179 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	6359 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	789W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-7-12
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Număr produs de bază	IMBG65R007