Name: IGC090S20S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND
Price: 27.5396 RON
Availability: OutOfStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IGC090S20S1XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IGC090S20S1XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IGC090S20S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IGC090S20S1XTMA1
Descriere	200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC
Termen de livrare standard al producătorului	9 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 12A (Ta), 46A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSON-6-2
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	12A (Ta), 46A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	9mOhm la 10A, 5V
Vgs(th) (Max) la Id	2,9V la 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	8.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±6,5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	800 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Temperatură de funcționare	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSON-6-2
Pachet/cutie	6-PowerTDFN