Name: IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND
Price: 22.6875 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IGC025S08S1XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IGC025S08S1XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IGC025S08S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IGC025S08S1XTMA1
Descriere	MV GAN DISCRETES
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSON-6-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IGC025S08S1XTMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	23A (Ta), 86A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,5mOhm la 25A, 5V
Vgs(th) (Max) la Id	2.9V @ 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±6,5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1250 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Temperatură de funcționare	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSON-6-2
Pachet/cutie	6-PowerTDFN