Name: IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S101XTMA1TR-ND
Price: 11.8701 RON
Availability: InStock

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

IGB110S101XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IGB110S101XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IGB110S101XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IGB110S101XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IGB110S101XTMA1
Descriere	MV GAN DISCRETES
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Montare pe suprafață PG-VSON-4-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IGB110S101XTMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	9A (Ta), 23A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	11mOhm la 10A, 5V
Vgs(th) (Max) la Id	2,9V la 3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	4.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±6,5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	340 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Temperatură de funcționare	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-VSON-4-3
Pachet/cutie	4-PowerVDFN

Preț unitar fără TVA:	9,81000 lei
Preț unitar cu TVA:	11,87010 lei

IGB110S101XTMA1