Name: IGLD65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R055D2AUMA1TR-ND
Price: 36.058 RON
Availability: InStock

IGLD65R055D2AUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IGLD65R055D2AUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IGLD65R055D2AUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IGLD65R055D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IGLD65R055D2AUMA1
Descriere	GANFET N-CH 650V 20A 8LDFN
Termen de livrare standard al producătorului	35 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 20A (Tc) 91W (Tc) Montare pe suprafață PG-LSON-8-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IGLD65R055D2AUMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	20A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	–
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	70mOhm la 7,9A
Vgs(th) (Max) la Id	1,6V la 2,6mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	4.7 nC @ 3 V
Vgs (Max)	-10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	340 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	91W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-LSON-8-1
Pachet/cutie	Plăcuță expusă 8-LDFN

Preț unitar fără TVA:	29,80000 lei
Preț unitar cu TVA:	36,05800 lei

IGLD65R055D2AUMA1