Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 14.7378 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IGB110S10S1XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IGB110S10S1XTMA1
Descriere	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Termen de livrare standard al producătorului	25 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSON-4-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IGB110S10S1XTMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 3.4 nC @ 5 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±6,5V
Serie CoolGaN™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 340 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -40°C – 150°C (TJ)
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 9A (Ta), 23A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 5V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TSON-4-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 11mOhm la 10A, 5V	Pachet/cutie 4-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,9V la 3mA

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 4.496

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®