Name: IAUCN08S7L018ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7L018ATMA1TR-ND
Price: 18.7429 RON
Availability: InStock

IAUCN08S7L018ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IAUCN08S7L018ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IAUCN08S7L018ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IAUCN08S7L018ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IAUCN08S7L018ATMA1
Descriere	MOSFET_(75V 120V(
Termen de livrare standard al producătorului	35 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 210A (Tj) 169W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-43
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IAUCN08S7L018ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	210A (Tj)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,8mOhm la 88A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 87µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	103.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	6351 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	169W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8-43
Pachet/cutie	8-PowerTDFN

Preț unitar fără TVA:	15,49000 lei
Preț unitar cu TVA:	18,74290 lei

IAUCN08S7L018ATMA1