Name: BSZ0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSATMA1TR-ND
Price: 7.8045 RON
Availability: InStock

BSZ0901NSATMA1
Numărul produsului DigiKey	BSZ0901NSATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSZ0901NSATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSZ0901NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSZ0901NSATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSDSON-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSZ0901NSATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Ultima ocazie de cumpărare
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	22A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,2V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2850 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSDSON-8
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	BSZ0901

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
5.000	1,59699 lei	7.984,95 lei
10.000	1,50022 lei	15.002,20 lei

Preț unitar fără TVA:	6,45000 lei
Preț unitar cu TVA:	7,80450 lei

BSZ0901NSATMA1