Name: BSC0504NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0504NSIATMA1TR-ND
Price: 7.3447 RON
Availability: OutOfStock

BSC0504NSIATMA1 nu mai este pe stoc și poate fi inclus în comenzi în așteptare.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

Rohm Semiconductor

În stoc: 9.358

Preț unitar : 6,29000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

BSC0504NSIATMA1
Numărul produsului DigiKey	BSC0504NSIATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSC0504NSIATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSC0504NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSC0504NSIATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 21A (Ta), 72A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-6
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSC0504NSIATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 15 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 960 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,5W (Ta), 30W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 21A (Ta), 72A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TDSON-8-6
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 3,7mOhm la 30A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2V la 250µA	Număr produs de bază BSC0504