Vishay / Siliconix

MOSFET-uri în 5G

MOSFET-urile Vishay pentru infrastructura de alimentare 5G oferă soluții de alimentare cu energie electrică pentru telecomunicații de până la 6 kW

Imaginea MOSFET-urilor de la Vishay Siliconix în 5GVishay oferă o gamă largă de MOSFET-uri de putere în pachete cu montare pe suprafață pentru infrastructura 5G, stații de bază și edge și cloud computing. În pachetele PowerPAK® 10x12 și 8x8, MOSFET-urile cu superjoncțiune din seria E oferă cel mai bun FOM din clasa lor pentru corecția factorului de putere (PFC), în timp ce seria EF cu diode structurale rapide integrate oferă un QRR redus și o încărcare și descărcare mai rapidă pentru modulația impulsului în lățime (PWM). MOSFET-urile de medie și joasă tensiune Gen V cu rezistență la pornire ultra-joasă din PowerPAK SO-8 și SO-8DC sunt optimizate pentru aplicații de redresare sincronă și OR-ing.

Caracteristici
  • MOSFET-uri standard cu superjoncțiune din seria E
    • Cele mai bune soluții PFC din clasa lor
    • Cel mai mic FOM
  • Seria EF de MOSFET-uri cu superjoncțiune cu diodă structurală rapidă integrată
    • Dioda structurală rapidă oferă o reducere de până la 10 ori a QRR față de MOSFET-ul standard din seria E pentru controlul duratei de viață
    • Reducerea de 2 ori a timpului de încărcare și descărcare față de concurență
    • Proiectat și dezvoltat pentru topologii de comutare soft, cum ar fi rezonanța LLC
  • MOSFET-uri de joasă și medie tensiune Gen V
    • Opțiuni pentru dispozitive de la 80 V până la 150 V
    • Combinație optimizată de RDS(ON), QG și COSS
Aplicații
  • Edge computing
  • Cloud computing
  • Infrastructură 5G
  • Stații de bază 5G
  • Routere 5G
  • SMPS c.a./c.c.

MOSFETs in 5G

ImagineManufacturer Part NumberDescriereCurent - Consum continuu (Id) la 25°CTensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)Available QuantityPrețVedeți detalii
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWSIR510DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW31A (Ta), 126A (Tc)7,5V, 10V100 V5635 - Immediate$13.73Vedeți detalii
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAKSIHD6N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK5,4A (Tc)10V800 V1972 - Immediate$12.31Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 40A TO247ACSIHG065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC40A (Tc)10V600 V421 - Immediate$36.45Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 99A TO247ACSIHG018N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC99A (Tc)10V600 V735 - Immediate$76.73Vedeți detalii
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAKSIHB11N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK8A (Tc)10V800 V879 - Immediate$12.57Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220SIHA186N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 8.4A TO2208,4A (Tc)10V600 V0 - Immediate$16.53Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAKSIHB186N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK8,4A (Tc)10V600 V3274 - Immediate$17.00Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIHF15N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 15A TO22015A (Tc)10V600 V395 - Immediate$17.52Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247ACSIHG186N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC8,4A (Tc)10V600 V32 - Immediate$19.15Vedeți detalii
MOSFET N-CH 800V 12A TO220SIHA11N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 12A TO22012A (Tc)10V800 V1079 - Immediate$19.41Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIHA105N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 12A TO22012A (Tc)10V600 V983 - Immediate$21.04Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 21A TO220SIHF22N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO22021A (Tc)10V600 V3136 - Immediate$21.35Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 29A TO247ACSIHG105N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC29A (Tc)10V600 V305 - Immediate$22.46Vedeți detalii
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220ABSIHP21N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB17,4A (Tc)10V800 V0 - Immediate$22.59Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIHA125N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 11A TO22011A (Tc)10V600 V980 - Immediate$22.81Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAKSIHB100N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK30A (Tc)10V600 V773 - Immediate$25.30Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 30A TO247ACSIHG100N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC30A (Tc)10V600 V339 - Immediate$29.61Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 40A D2PAKSIHB065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK40A (Tc)10V600 V0 - Immediate$10.22Vedeți detalii
MOSFET N-CH 600V 40A TO220SIHF065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A TO22040A (Tc)10V600 V1196 - Immediate$34.38Vedeți detalii
MOSFET EF SERIES TO-220ABSIHP052N60EF-GE3MOSFET EF SERIES TO-220AB48A (Tc)10V600 V896 - Immediate$32.10Vedeți detalii
Published: 2022-12-08

Related Videos

A New Vishay is in motion
A New Vishay is in motion

Publish Date: 2024-09-13

Related Product Highlight

MOSFET-uri SiR578DP 150 V Gen V MOSFET-urile SiR578DP 150 V Gen V de la Vishay oferă o densitate de putere și o eficiență sporite.
MOSFET-uri TrenchFET Gen V MOSFET-urile TrenchFET Gen V de la Vishay oferă o densitate de putere și o eficiență sporită atât pentru topologii izolate, cât și neizolate.
SiSS52DN 30 V N-Channel MOSFET Vishay's SiSS52DN 30 V n-channel MOSFET delivers increased power density and efficiency for both isolated and non-isolated topologies.

Related Product Training Modules

High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection Introduction to Vishay E Series of 600 and 650 volt superjunction MOSFETs.