MOSFET-uri TrenchFET Gen V
MOSFET-urile de 80 V, 100 V și 150 V de la Vishay au un RDS foarte scăzut față de Qg FOM
MOSFET-urile de putere TrenchFET® Gen V de la Vishay oferă o densitate de putere și o eficiență crescută atât pentru topologii izolate, cât și neizolate. Rezistența foarte scăzută la pornire, funcționarea la temperaturi ridicate de până la +175 °C și capsula PowerPAK® de la Vishay, care economisește spațiu, ajută la promovarea fiabilității la nivel de placă cu o construcție fără fir de legătură. Această serie este 100% testată RG și UIS, este conformă cu RoHS și nu conține halogeni.
- RDS foarte scăzut la Qg FOM
- Reglat pentru cel mai mic RDS la QOSS FOM
- Redresare sincronă
- Comutatoare pe partea primară
- Convertoare c.c./c.c.
- Microinvertoare solare
- Comutatoare de acționare a motorului
- Comutatoare de baterie și de sarcină
- Acționări pentru motoare industriale
- Încărcătoare de baterii
Gen V TrenchFET MOSFETs
| Imagine | Manufacturer Part Number | Descriere | Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) | Available Quantity | Preț | Vedeți detalii | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SIDR5802EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET | 80 V | 0 - Immediate | $16.81 | Vedeți detalii |
![]() | ![]() | SIR5802DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE | 80 V | 5633 - Immediate | $12.33 | Vedeți detalii |
![]() | ![]() | SIR5102DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | 100 V | 4258 - Immediate | $18.17 | Vedeți detalii |
![]() | ![]() | SIDR5102EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE | 100 V | 4370 - Immediate | $17.29 | Vedeți detalii |
![]() | ![]() | SIR578DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | 150 V | 3831 - Immediate | $15.93 | Vedeți detalii |
![]() | ![]() | SIDR578EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE | 150 V | 5662 - Immediate | $18.52 | Vedeți detalii |




