Canal-N 800 V 5,4A (Tc) 78W (Tc) Montare pe suprafață TO-252AA
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIHD6N80E-GE3

Numărul produsului DigiKey
SIHD6N80E-GE3-ND
Producător
Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului
SIHD6N80E-GE3
Descriere
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Termen de livrare standard al producătorului
24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 800 V 5,4A (Tc) 78W (Tc) Montare pe suprafață TO-252AA
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Vishay Siliconix
Serie
E
Ambalaj
Vrac
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
5,4A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
940mOhm la 3A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
827 pF @ 100 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
78W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet/cutie
TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază
SIHD6
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 1.972
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Vrac
Cantitate Preț unitar Ext Price
113,27000 lei13,27 lei
108,59200 lei85,92 lei
1005,92030 lei592,03 lei
5004,77848 lei2.389,24 lei
1.0004,41151 lei4.411,51 lei
3.0003,94598 lei11.837,94 lei
6.0003,72268 lei22.336,08 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:13,27000 lei
Preț unitar cu TVA:16,05670 lei