NovuSem FET-uri, MOSFET-uri individuale

Rezultate : 3
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
Excludere
3Rezultate
Filtre aplicate Eliminare toate

Se afișează
din 3
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
Vgs (Max)
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
Disipare putere (Max)
Temperatură de funcționare
Tip montare
Pachet dispozitiv furnizor
Pachet/cutie
NC1M120C12WDCU
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
NovuSem
218
Marketplace
218 : 287,81807 lei
Tavă
Tavă
Activ
-
SiCFET (silicon carbid)
1200 V
214A (Tc)
20V
12mOhm la 20A, 20V
3,5V la 40mA
+22V, -8V
8330 pF @ 1000 V
-
-
Montare pe suprafață
Placă subțire
Matriță
NC1M120C12WCNG
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
NovuSem
218
Marketplace
218 : 210,78541 lei
Tavă
Tavă
Activ
SiCFET (silicon carbid)
-
214A (Tc)
20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
NC1M120C12HTNG
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
NovuSem
0
Marketplace
Activ
Tub
Activ
Canal-N
SiCFET (silicon carbid)
1200 V
47A (Tc)
20V
75mOhm la 20A, Ieșire 20V
2,8V la 5mA
+20V, -5V
1450 pF @ 1000 V
288W (Ta)
-55°C – 175°C (TJ)
Orificiu străpuns
TO-247-4L
TO-247-4
Se afișează
din 3

FET-uri, MOSFET-uri individuale


Tranzistoarele individuale cu efect de câmp (FET) și tranzistoarele cu efect de câmp de tip metal-oxid-semiconductor (MOSFET) sunt tipuri de tranzistoare utilizate pentru amplificarea sau comutarea semnalelor electronice.

Un FET individual funcționează prin controlul fluxului de curent electric între terminalele sursă și drenă prin intermediul unui câmp electric generat de o tensiune aplicată la terminalul porții. Principalul avantaj al FET-urilor este impedanța lor de intrare ridicată, ce le face ideale pentru utilizare în amplificarea semnalelor și în circuitele analogice. Se utilizează pe scară largă în aplicații precum amplificatoarele, oscilatoarele și etajele tampon din circuitele electronice.

MOSFET-urile, un subtip de FET-uri, au un terminal de poartă care este izolat de canal printr-un strat subțire de oxid, ceea ce le sporește performanța și le face foarte eficiente. MOSFET-urile pot fi în continuare clasificate în două tipuri:

MOSFET-urile sunt preferate în multe aplicații datorită consumului redus de energie, vitezei mari de comutare și capacității lor de a gestiona curenți și tensiuni mari. Sunt esențiale în circuitele digitale și analogice, inclusiv în sursele de alimentare, driverele de motoare și aplicațiile de radiofrecvență.

Funcționarea MOSFET-urilor poate fi împărțită în două moduri:

  • Mod de îmbunătățire: în acest mod, MOSFET-ul este în mod normal oprit atunci când tensiunea poartă-sursă este zero. Pentru a se activa, acesta necesită o tensiune poartă-sursă pozitivă (pentru canalul N) sau o tensiune poartă-sursă negativă (pentru canalul P).
  • Mod de epuizare: în acest mod, MOSFET-ul este în mod normal pornit atunci când tensiunea poartă-sursă este zero. Aplicarea unei tensiuni poartă-sursă de polaritate opusă îl poate dezactiva.

MOSFET-urile au mai multe avantaje, cum ar fi:

  1. Eficiență ridicată: consumă foarte puțină energie și pot comuta rapid între stări, fiind foarte eficiente pentru aplicațiile de gestionare a energiei.
  2. Rezistență scăzută la pornire: au o rezistență scăzută atunci când sunt pornite, ceea ce minimizează pierderea de energie și generarea de căldură.
  3. Impedanță de intrare ridicată: structura izolată a porții are ca rezultat o impedanță de intrare extrem de ridicată, ceea ce le face ideale pentru amplificarea semnalului cu impedanță ridicată.

Pe scurt, FET-urile simple, în special MOSFET-urile, sunt componente fundamentale în electronica modernă, cunoscute pentru eficiența, viteza și versatilitatea lor într-o gamă largă de aplicații, de la amplificarea semnalelor de mică putere la comutarea și controlul de mare putere.