NovuSem FET-uri, MOSFET-uri individuale
Nr. catalog prod. | CANTITATE DISPONIBILĂ | Preț | Serie | Pachet | Stare produs | Tip FET | Tehnologie | Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) | Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) | Rds pornit (Max) la Id, Vgs | Vgs(th) (Max) la Id | Vgs (Max) | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds | Disipare putere (Max) | Temperatură de funcționare | Tip montare | Pachet dispozitiv furnizor | Pachet/cutie | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
218 Marketplace | 218 : 287,81807 lei Tavă | Tavă | Activ | - | SiCFET (silicon carbid) | 1200 V | 214A (Tc) | 20V | 12mOhm la 20A, 20V | 3,5V la 40mA | +22V, -8V | 8330 pF @ 1000 V | - | - | Montare pe suprafață | Placă subțire | Matriță | |||
218 Marketplace | 218 : 210,78541 lei Tavă | Tavă | Activ | – | SiCFET (silicon carbid) | - | 214A (Tc) | 20V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
0 Marketplace | Activ | Tub | Activ | Canal-N | SiCFET (silicon carbid) | 1200 V | 47A (Tc) | 20V | 75mOhm la 20A, Ieșire 20V | 2,8V la 5mA | +20V, -5V | 1450 pF @ 1000 V | 288W (Ta) | -55°C – 175°C (TJ) | Orificiu străpuns | TO-247-4L | TO-247-4 |




