Canal-N 1200 V 47A (Tc) 288W (Ta) Orificiu străpuns TO-247-4L
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NC1M120C75HTNG

Numărul produsului DigiKey
3372-NC1M120C75HTNG-ND
Producător
NovuSem
Numărul produsului producătorului
NC1M120C75HTNG
Descriere
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 47A (Tc) 288W (Ta) Orificiu străpuns TO-247-4L
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
NovuSem
Serie
NC1M
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
47A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
75mOhm la 20A, Ieșire 20V
Vgs(th) (Max) la Id
2,8V la 5mA
Vgs (Max)
+20V, -5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1450 pF @ 1000 V
Disipare putere (Max)
288W (Ta)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-4L
Pachet/cutie
TO-247-4
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 0
Nu se poate anula/Nu se poate returna
PRODUS MARKETPLACE
Livrat de la NextGen Components
Termen de livrare indisponibil/Comenzile în așteptare nu sunt permise
Se poate aplica o taxă de transport separată.