Name: SQS481ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS481ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 8.7604 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQS481ENW-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQS481ENW-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQS481ENW-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQS481ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQS481ENW-T1_GE3
Descriere	MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 150 V 4,7A (Tc) 62,5W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 1212-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQS481ENW-T1_GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 11 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 385 pF @ 75 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 62,5W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 150 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 4,7A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® 1212-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,095Ohm la 5A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 250µA	Număr produs de bază SQS481