Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 24.3694 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQJQ112E-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQJQ112E-T1_GE3
Descriere	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Termen de livrare standard al producătorului	32 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 8 x 8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQJQ112E-T1_GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	296A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,53mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	272 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	15945 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	600W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® 8 x 8
Pachet/cutie	PowerPAK® 8 x 8