
SQJB00EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | SQJB00EP-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQJB00EP-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQJB00EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | SQJB00EP-T1_GE3 |
Descriere | MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8 |
Termen de livrare standard al producătorului | 39 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 60V 30A (Tc) 48W Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8 dual |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | SQJB00EP-T1_GE3 Modele |
Categorie | Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 250µA |
Producător Vishay Siliconix | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 35nC la 10V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1700pF la 25V |
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel® | Putere - Max 48W |
Stare piesă Activ | Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ) |
Tehnologie MOSFET (oxid metalic) | Grad Automobile |
Configurație Canal 2 N (dublu) | Calificare AEC-Q101 |
Caracteristică FET – | Tip montare Montare pe suprafață |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60V | Pachet/cutie PowerPAK® SO-8 dual |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 30A (Tc) | Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8 dual |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 13mOhm la 10A, 10V | Număr produs de bază |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 8,58000 lei | 8,58 lei |
| 10 | 5,46200 lei | 54,62 lei |
| 100 | 3,67480 lei | 367,48 lei |
| 500 | 2,90844 lei | 1.454,22 lei |
| 1.000 | 2,66186 lei | 2.661,86 lei |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 3.000 | 2,34886 lei | 7.046,58 lei |
| 6.000 | 2,19137 lei | 13.148,22 lei |
| 9.000 | 2,11117 lei | 19.000,53 lei |
| 15.000 | 2,04558 lei | 30.683,70 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 8,58000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 10,38180 lei |




