Name: SQJ960EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ960EP-T1_GE3TR-ND
Price: 15.2944 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQJ960EP-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQJ960EP-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQJ960EP-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQJ960EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQJ960EP-T1_GE3
Descriere	MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Termen de livrare standard al producătorului	27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 60V 8A 34W Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8 dual
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQJ960EP-T1_GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET	Poartă logică
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	8A
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	36mOhm la 5,3A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	20nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	735pF la 25V
Putere - Max	34W
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8 dual
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8 dual
Număr produs de bază	SQJ960