SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | FET-uri, MOSFET-uri individuale

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQ2315ES-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQ2315ES-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQ2315ES-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQ2315ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQ2315ES-T1_GE3
Descriere	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 12 V 5A (Tc) 2W (Tc) Montare pe suprafață SOT-23-3 (TO-236)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 13 nC @ 4.5 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±8V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 870 pF @ 4 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 2W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 12 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 5A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 1,8V, 4,5V	Pachet dispozitiv furnizor SOT-23-3 (TO-236)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 50mOhm la 3,5A, 10V	Pachet/cutie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) la Id 1V la 250µA	Număr produs de bază SQ2315

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

Produse înlocuitoare (2)

Număr de catalog	Producător	CANTITATE DISPONIBILĂ	Numărul produsului DigiKey	Preț unitar	Tip produs înlocuitor
SQ2315ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	3.000	742-SQ2315ES-T1_BE3CT-ND	0,78000 lei	Direct
SQ2315CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	742-SQ2315CES-T1_GE3CT-ND	0,54000 lei	MFR Recommended