SQ2308CES-T1_GE3 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Echivalente parametric


Vishay Siliconix
În stoc: 148
Preț unitar : 0,71000 lei
Fișă de date

Echivalente parametric


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 0,45000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 18.604
Preț unitar : 0,32000 lei
Fișă de date
SI2333DS-T1-GE3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQ2308CES-T1_GE3

Numărul produsului DigiKey
SQ2308CES-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR)
SQ2308CES-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
SQ2308CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Numărul produsului producătorului
SQ2308CES-T1_GE3
Descriere
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 60 V 2,3A (Tc) 2W (Tc) Montare pe suprafață SOT-23-3 (TO-236)
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
SQ2308CES-T1_GE3 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
150mOhm la 2,3A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
5.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
205 pF @ 30 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
2W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Automobile
Calificare
AEC-Q101
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.