Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 36.7719 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIJK5100E-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIJK5100E-T1-GE3
Descriere	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	55 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK®10 x 12
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIJK5100E-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 200 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 11480 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 17W (Ta), 536W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 74A (Ta), 417A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 7,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK®10 x 12
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,4mOhm la 80A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerBSFN
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA