SIHP17N60D-E3 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
În stoc: 16.512
Preț unitar : 17,29000 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 995
Preț unitar : 15,80000 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 67
Preț unitar : 19,22000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 1.602
Preț unitar : 18,34000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 2.052
Preț unitar : 19,35000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 2.299
Preț unitar : 16,94000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 907
Preț unitar : 20,45000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 990
Preț unitar : 15,05000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 468
Preț unitar : 9,17000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 219
Preț unitar : 27,95000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 2.220
Preț unitar : 14,92000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 9
Preț unitar : 20,01000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 594
Preț unitar : 10,22000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.322
Preț unitar : 22,12000 lei
Fișă de date
Canal-N 600 V 17A (Tc) 277,8W (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIHP17N60D-E3

Numărul produsului DigiKey
SIHP17N60D-E3-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
SIHP17N60D-E3
Descriere
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 17A (Tc) 277,8W (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
SIHP17N60D-E3 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
340mOhm la 8A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1780 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
277,8W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.