
IPP60R299CPXKSA1 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 448-IPP60R299CPXKSA1-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | IPP60R299CPXKSA1 |
Descriere | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 650 V 11A (Tc) 96W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3 |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | IPP60R299CPXKSA1 Modele |
Categorie | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 29 nC @ 10 V |
Prod. | Vgs (Max) ±20V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1100 pF @ 100 V |
Ambalaj Tub | Caracteristică FET – |
Stare piesă Ultima ocazie de cumpărare | Disipare putere (Max) 96W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Orificiu străpuns |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V | Pachet dispozitiv furnizor PG-TO220-3 |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 299mOhm la 6,6A, 10V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 440µA | Număr produs de bază |
| Număr de catalog | Producător | CANTITATE DISPONIBILĂ | Numărul produsului DigiKey | Preț unitar | Tip produs înlocuitor |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 43 | IPP60R280P7XKSA1-ND | 13,18000 lei | MFR Recommended |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 1.507 | 497-13779-5-ND | 18,77000 lei | Direct |
| FCP11N60 | onsemi | 1.602 | FCP11N60-ND | 18,12000 lei | Similar |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1.718 | IRF830APBF-ND | 17,08000 lei | Similar |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 17,34000 lei | Similar |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 16,43000 lei | 16,43 lei |
| 50 | 8,20180 lei | 410,09 lei |
| 100 | 7,40460 lei | 740,46 lei |
| 500 | 6,00804 lei | 3.004,02 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 16,43000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 19,88030 lei |

