Name: SIHP12N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP12N60E-GE3-ND
Price: 19.3237 RON
Availability: OutOfStock

SIHP12N60E-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIHP12N60E-GE3-ND
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIHP12N60E-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Termen de livrare standard al producătorului	15 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIHP12N60E-GE3 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	E
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	12A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	380mOhm la 6A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	937 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	147W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-220AB
Pachet/cutie	TO-220-3
Număr produs de bază	SIHP12

Preț unitar fără TVA:	15,97000 lei
Preț unitar cu TVA:	19,32370 lei

SIHP12N60E-GE3