Name: SI9933CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9933CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 5.6144 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI9933CDY-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI9933CDY-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI9933CDY-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI9933CDY-T1-GE3
Descriere	MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 20V 4A 3,1W Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI9933CDY-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Rds pornit (Max) la Id, Vgs 58mOhm la 4,8A, 4,5V
Producător Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) la Id 1,4V la 250µA
Serie TrenchFET®	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 26nC la 10V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 665pF la 10V
Stare piesă Activ	Putere - Max 3,1W
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare -50°C – 150°C (TJ)
Configurație Canal 2 P (dublu)	Tip montare Montare pe suprafață
Caracteristică FET Poartă logică	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SOIC
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 4A	Număr produs de bază SI9933

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 88.222

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)