Name: SI8812DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8812DB-T2-E1TR-ND
Price: 3.5816 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI8812DB-T2-E1
Numărul produsului DigiKey	SI8812DB-T2-E1TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI8812DB-T2-E1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI8812DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI8812DB-T2-E1
Descriere	MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Termen de livrare standard al producătorului	13 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 20 V 2,3A (Ta) 500mW (Ta) Montare pe suprafață 4-Micropicior
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI8812DB-T2-E1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	20 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	2,3A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	1,2V, 4,5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	59mOhm la 1A, 4,5V
Vgs(th) (Max) la Id	1V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	17 nC @ 8 V
Vgs (Max)	±5V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	500mW (Ta)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	4-Micropicior
Pachet/cutie	4-UFBGA
Număr produs de bază	SI8812

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 2.414

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)