Name: SI8810EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8810EDB-T2-E1TR-ND
Price: 3.4122 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI8810EDB-T2-E1
Numărul produsului DigiKey	SI8810EDB-T2-E1TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI8810EDB-T2-E1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI8810EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI8810EDB-T2-E1
Descriere	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 20 V 2,1A (Ta) 500mW (Ta) Montare pe suprafață 4-Micropicior
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 8 nC @ 8 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±8V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 245 pF @ 10 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 500mW (Ta)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 2,1A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 1,5V, 4,5V	Pachet dispozitiv furnizor 4-Micropicior
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 72mOhm la 1A, 4,5V	Pachet/cutie 4-XFBGA
Vgs(th) (Max) la Id 900mV la 250µA	Număr produs de bază SI8810

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 315

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)