Name: SI4143DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4143DY-T1-GE3TR-ND
Price: 7.865 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI4143DY-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI4143DY-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI4143DY-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI4143DY-T1-GE3
Descriere	MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 25,3A (Tc) 6W (Tc) Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI4143DY-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 167 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±25V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 6630 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 6W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TA)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 25,3A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SOIC
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 6,2mOhm la 12A, 10V	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 250µA	Număr produs de bază SI4143

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 36.297

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT)

Bandă și mosor (TR)