Canal P 30 V 25,9A (Ta), 94A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 1212-8S
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SISS65DN-T1-GE3

Numărul produsului DigiKey
SISS65DN-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR)
SISS65DN-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului
SISS65DN-T1-GE3
Descriere
MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Termen de livrare standard al producătorului
31 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal P 30 V 25,9A (Ta), 94A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 1212-8S
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
SISS65DN-T1-GE3 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET® Gen III
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal P
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
25,9A (Ta), 94A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
4,6mOhm la 15A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
2,3V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
4930 pF @ 15 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8S
Pachet/cutie
PowerPAK® 1212-8S
Număr produs de bază
SISS65
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 34.255
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®
Cantitate Preț unitar Ext Price
17,33000 lei7,33 lei
104,63800 lei46,38 lei
1003,09190 lei309,19 lei
5002,42860 lei1.214,30 lei
1.0002,21516 lei2.215,16 lei
* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.
Bandă și mosor (TR)
Cantitate Preț unitar Ext Price
3.0001,94415 lei5.832,45 lei
6.0001,80776 lei10.846,56 lei
9.0001,73829 lei15.644,61 lei
15.0001,66026 lei24.903,90 lei
21.0001,63625 lei34.361,25 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:7,33000 lei
Preț unitar cu TVA:8,86930 lei
V-ar mai putea interesa șiVizualizare toate
10 Articole
SZNZ8F5V6SMX2WT5G

SZNZ8F5V6SMX2WT5G

DIODE ZENER 5.6V 250MW 2-X2DFNW

onsemi

1,62000 lei
MPM3814GPA-P

MPM3814GPA-P

2.75V TO 6V, 1A, ULTRA-SMALL, UL

Monolithic Power Systems Inc.

14,52000 lei
SISS63DN-T1-GE3

SISS63DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK

Vishay Siliconix

7,68000 lei
BSZ034N04LSATMA1

BSZ034N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON

Infineon Technologies

6,93000 lei
PUSB3FR4Z

PUSB3FR4Z

TVS DIODE 3.3VWM 3VC DFN2510A-10

Nexperia USA Inc.

0,61000 lei
MPM3814GPA-Z

MPM3814GPA-Z

2.75V TO 6V, 1A, ULTRA-SMALL, UL

Monolithic Power Systems Inc.

6,83081 lei
STM32G0B1VCT6TR

STM32G0B1VCT6TR

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP

STMicroelectronics

12,90377 lei
MAX17634CATP+

MAX17634CATP+

IC REG BUCK ADJ 4.25A 20TQFN

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

20,01000 lei
SISS05DN-T1-GE3

SISS05DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK

Vishay Siliconix

9,70000 lei
SISS61DN-T1-GE3

SISS61DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK

Vishay Siliconix

7,99000 lei