Name: IRF840STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF840STRRPBFTR-ND
Price: 19.8803 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF840STRRPBF
Numărul produsului DigiKey	IRF840STRRPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRF840STRRPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRF840STRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	IRF840STRRPBF
Descriere	MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Vishay Siliconix	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1300 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 125W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 500 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 8A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263 (D2PAK)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 850mOhm la 4,8A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază IRF840
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 63 nC @ 10 V