2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

2N7002E-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	2N7002E-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 2N7002E-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	2N7002E-T1-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Montare pe suprafață TO-236
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	240mA (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	3Ohm la 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	21 pF @ 5 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	350mW (Ta)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-236
Pachet/cutie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Număr produs de bază	2N7002