Name: TW092V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW092V65CLQTR-ND
Price: 125.9368 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TW092V65C,LQ
Numărul produsului DigiKey	264-TW092V65CLQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TW092V65CLQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TW092V65C,LQ
Descriere	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) Montare pe suprafață 4-DFN-EP (8x8)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 28 nC @ 18 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) +25V, -10V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 873 pF @ 400 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 111W (Tc)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Temperatură de funcționare 175°C
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Grad –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 27A (Tc)	Calificare –
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 18V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 136mOhm la 15A, 18V	Pachet dispozitiv furnizor 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 600µA	Pachet/cutie Plăcuță expusă 4-VSFN