Canal-N 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) Montare pe suprafață 4-DFN-EP (8x8)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) Montare pe suprafață 4-DFN-EP (8x8)
TW123V65C,LQ

TW092V65C,LQ

Numărul produsului DigiKey
264-TW092V65CLQTR-ND - Bandă și mosor (TR)
264-TW092V65CLQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului
TW092V65C,LQ
Descriere
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
Termen de livrare standard al producătorului
24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) Montare pe suprafață 4-DFN-EP (8x8)
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
27A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
136mOhm la 15A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 600µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
873 pF @ 400 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
111W (Tc)
Temperatură de funcționare
175°C
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
4-DFN-EP (8x8)
Pachet/cutie
Plăcuță expusă 4-VSFN
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 2.480
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®
Cantitate Preț unitar Ext Price
196,57000 lei96,57 lei
1069,63900 lei696,39 lei
10068,93820 lei6.893,82 lei
* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.
Bandă și mosor (TR)
Cantitate Preț unitar Ext Price
2.50056,32206 lei140.805,15 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:96,57000 lei
Preț unitar cu TVA:116,84970 lei
V-ar mai putea interesa șiVizualizare toate
7 Articole
TPM1R908QM,LQ

TPM1R908QM,LQ

N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,

Toshiba Semiconductor and Storage

12,35000 lei
TW027U65C,RQ

TW027U65C,RQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T

Toshiba Semiconductor and Storage

171,24000 lei
TPW2900ENH,L1Q

TPW2900ENH,L1Q

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

Toshiba Semiconductor and Storage

15,79000 lei
TRS12V65H,LQ

TRS12V65H,LQ

DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP

Toshiba Semiconductor and Storage

18,81000 lei
TK024N60Z1,S1F

TK024N60Z1,S1F

N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V

Toshiba Semiconductor and Storage

65,97000 lei
DCL540C01(T,E

DCL540C01(T,E

DGTL ISOLTR 5KV 4CH GP 16-SOIC

Toshiba Semiconductor and Storage

25,30000 lei
TRS8E65H,S1Q

TRS8E65H,S1Q

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L

Toshiba Semiconductor and Storage

14,55000 lei