Name: TPW2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW2900ENH,L1QTR-ND
Price: 20.5579 RON
Availability: InStock

Canal-N 200 V 33A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-DSOP

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TPW2900ENH,L1Q
Numărul produsului DigiKey	264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPW2900ENH,L1Q
Descriere	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 33A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-DSOP
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 22 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2200 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 150°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 200 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 33A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor Avans 8-DSOP
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 29mOhm la 16,5A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 1mA