Name: TPHR6503PL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR6503PL1LQTR-ND
Price: 16.4681 RON
Availability: InStock

Canal-N 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-SOP (5x5,75)

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TPHR6503PL1,LQ
Numărul produsului DigiKey	264-TPHR6503PL1LQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TPHR6503PL1LQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TPHR6503PL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPHR6503PL1,LQ
Descriere	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-SOP (5x5,75)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TPHR6503PL1,LQ Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 110 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Serie U-MOSIX-H	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 10000 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 150A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor Avans 8-SOP (5x5,75)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 0,65mOhm la 50A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,1V la 1mA