Name: TPH2R70AR5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R70AR5LQTR-ND
Price: 13.6367 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TPH2R70AR5,LQ
Numărul produsului DigiKey	264-TPH2R70AR5LQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TPH2R70AR5LQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TPH2R70AR5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPH2R70AR5,LQ
Descriere	N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 22A (Ta), 190A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-SOP (5x5,75)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 52 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5400 pF @ 50 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 3W (Ta), 210W (Tc)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare 175°C
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Grad –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 22A (Ta), 190A (Tc)	Calificare –
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 8V, 10V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,7mOhm la 50A, 10V	Pachet dispozitiv furnizor Avans 8-SOP (5x5,75)
Vgs(th) (Max) la Id 4,3V la 1mA	Pachet/cutie 8-PowerTDFN

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 12.848

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®