Name: TPH2R506PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R506PLL1QTR-ND
Price: 12.221 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TPH2R506PL,L1Q
Numărul produsului DigiKey	TPH2R506PLL1QTR-ND - Bandă și mosor (TR) TPH2R506PLL1QCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) TPH2R506PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPH2R506PL,L1Q
Descriere	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-SOP (5x5)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TPH2R506PL,L1Q Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 60 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Serie U-MOSIX-H	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5435 pF @ 30 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 132W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 100A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor Avans 8-SOP (5x5)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 4,4mOhm la 30A, 4,5V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 500µA	Număr produs de bază TPH2R506

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 4.627

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®