TK4A60D(STA4,Q,M) este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 0
Preț unitar : 7,67000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 420
Preț unitar : 12,22000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 490
Preț unitar : 8,15000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 4,68865 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 285
Preț unitar : 0,00000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.997
Preț unitar : 9,49000 lei
Fișă de date
Canal-N 600 V 4A (Ta) 35W (Tc) Orificiu străpuns TO-220SIS
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TK4A60D(STA4,Q,M)

Numărul produsului DigiKey
TK4A60D(STA4QM)-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
TK4A60D(STA4,Q,M)
Descriere
MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 4A (Ta) 35W (Tc) Orificiu străpuns TO-220SIS
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
TK4A60D(STA4,Q,M) Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1,7Ohm la 2A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,4V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
35W (Tc)
Temperatură de funcționare
150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.
Nu se poate anula/Nu se poate returna